兩家公司展示了於K2廠區持續建設的製造基礎設施，以應對日益增長的NAND快閃記憶體需求

Kioxia Corporation是Kioxia Holdings Corporation（東京證券交易所代號：285A）旗下子公司，其與Sandisk Corporation（納斯達克代號：SNDK）今日宣布，位於日本岩手縣北上工廠的Fab2（K2）已開始生產其第10代3D快閃記憶體技術產品。這一里程碑象徵著兩家公司繼續推動具重大意義的多年度位元增長，以應對市場對其創新快閃記憶體技術的強勁需求。

配合投產，兩家公司為K2廠房舉行了揭幕儀式。該廠房於2025年9月啟用，此前一直生產兩家公司的第8代3D快閃記憶體產品，並將隨着引入第10代產品而開始擴大生產規模。這兩代3D快閃記憶體均採用創新的CBA（CMOS直接鍵合於陣列）技術，具備高效能、高容量及低功耗的特點。

Fab2廠房採用具備吸震功能的建築結構，其設計亦採用最先進的節能製造設備。該廠房藉助人工智慧以提升生產效率，並採用高空間利用率的設施設計，從而擴大了其潔淨室內可用於裝設製造設備的空間。

Kioxia與Sandisk近期宣布將其合資企業架構延長至2034年12月。兩家公司的合作夥伴關係已推動了數十年的NAND快閃記憶體創新。對K2晶圓廠的持續投資將助力該合資企業的長期成功，並使其有能力規模化且穩定地提供前沿的快閃記憶體創新技術，這與兩家公司先前設定的位元增長目標相符。

負責營運北上工廠的Kioxia Iwate Corporation社長兼行政總裁Koichiro Shibayama表示：「我們很高興能在北上開始生產先進的第10代快閃記憶體。Fab2所生產的第8代及更新世代的快閃記憶體產品，將為快速增長的AI市場帶來全新價值。憑藉合作夥伴關係與規模優勢，Kioxia將繼續製造前沿的快閃記憶體產品並實現企業的可持續增長。同時將繼續為半導體產業的進步以及地方和國內經濟的發展作出貢獻。」

Sandisk Corporation首席技術官Alper Ilkbahar表示：「數十年來，Sandisk與Kioxia一直推動着NAND快閃記憶體的創新。隨着市場對高效能快閃記憶體技術的需求持續增加，在我們的北上設施開始生產第10代3D快閃記憶體，標誌着兩家公司迎來了一個重要的里程碑。透過我們的K2廠房，我們將繼續以全球領先的NAND技術支持客戶，同時為我們營運所在的社區提供新的經濟機遇，並成為美日強大經濟關係的典範。」

Kioxia與Sandisk共享超過25年的成功合資夥伴關係，並將透過共同研發3D快閃記憶體及資本投資，繼續加強協同效應與競爭力。