根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第四季的DRAM產業營收表現再創歷史新高。從價格方面來看，受到行動式記憶體接棒漲價所帶動，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的DRAM廠拉抬行動式記憶體報價，帶動行動式記憶體在第四季有5-20%不等的漲幅(取決於不同的容量)，而其餘各類DRAM產品合約價亦普遍較前季再上漲約5-10%。2017年第四季DRAM產值較上季再成長14.2%，全年產值成長率達76%。

DRAMeXchange資深研究協理吳雅婷指出，展望2018年第一季，PC-OEM廠已陸續議定合約價格，就一線大廠訂價來看，PC DRAM均價已來到33美元，較上一季平均漲幅約達5%；以北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能仍強，帶動本季伺服器記憶體價格上漲3-5%。至於智慧型手機第一季買氣較原先預期低迷，加上NAND跌價與中國發改委因素影響，行動式記憶體價格漲幅較先前收斂，平均價格小幅上漲約3%。從整體產值來看，DRAMeXchange預估，2018年DRAM產業產值將成長超過3成，規模達960億美元。

觀察各廠2017年第四季營收表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，營收達101億美元，較上季成長14.5%，再度創下歷史新高； SK海力士營收衝至63億美元，較前季成長14.1%，兩大韓廠的市占率各為46.0%與28.7%，合計已囊括74.7%的市占率；美光集團仍舊維持第三，營收達46億美元，季增13.4%，市占20.8%。

受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益，三星第四季度營業利益率再度改寫歷史新高，由62%上升至64%；SK海力士亦從第三季度的56%再提升至59%；美光則從50%拉升至53%。展望2018年第一季，受惠於DRAM價格持續上漲與製程轉進所帶來的成本效益，三大廠在營收表現上可望再創新猷，各家獲利率也可望進一步提升。

從技術面來看，三星今年的目標除了持續提升18nm製程的產出比重外，為期近兩年DRAM漲價帶動DRAM供應商的高獲利，以及中國潛在競爭者的加入，也讓三星決定展開新一波的擴產計畫，將原本規劃做NAND Flash的平澤廠二樓空間投入生產DRAM，一方面因應DRAM供給吃緊狀況，另一方面藉由減少未來NAND Flash的投片量，來抑制NAND  Flash的跌價速度，對此，DRAMeXchange指出，此舉對整體記憶體產業屬健康發展，而並非壞事。

此外，SK海力士去年底開始導入18nm的生產，然而，進入1Xnm世代製程難度高、轉換不易，SK海力士目前仍致力於提升其18nm良率；擴廠計畫則維持不變，SK海力士最快要到2019年才會在中國無錫新建的第二座12 吋廠看到產能開出。美光在技術佈局方面，台灣美光記憶體(原瑞晶) 17nm目前產出比重已超過9成，預計今年第二季初將完成轉換，而台灣美光晶圓科技(原華亞科)計畫今年中開始進行20nm往17nm的轉換，預計今年年底將可望有一半產能轉往17nm生產，並於明年上半年全數導入。

台系廠商部分，南亞科第四季營收較前一季大幅成長26.9%，主要歸功於20nm轉換良率超乎預期，以及價格持續走揚帶動。20nm的成本效益拉升營業利益率至38.9%，較前一季成長7個百分點。展望未來，由於該公司20nm良率繼續提升，將會持續改善其成本結構，增加獲利空間。

力晶科技方面，2017年第四季DRAM營收季持平，主要還是替晶豪科、愛普等IC設計業者代工的獲利較佳，力晶本身DRAM產能轉向更高毛利的產品；華邦方面DRAM營收則下滑2.2%，主因為DRAM產能受到NOR Flash產能壓縮所導致。（新聞中心）